量産型 原料調整炉
型式:THG-1200-2B
<装置概要>
本装置は、半導体結晶育成用原材料の熱処理炉です。結晶成長のため、試料の高精度移動機構を備えさらに
石英管内の試料の温度分布・測定、リニアガイドによる試料の取り出しを可能にした生産性の高い調整炉で
す。
 
<装置性能>
・使用温度      :1,000℃  最大1,200℃
            カンタルヒーター
 
・炉内寸法      :φ115×1,100mm
 
・均熱長       :700mm
 
・炉芯管       :石英 φ110×1,100mm
            石英 φ115×1,100mm
 
・移動速度      :低速運転 ±0.1~5  mm/h
            早送運転 ± 40~333mm/h