量産型原料調整炉
型式：THG-1200-2B
（結晶成長プロセス用）
量産型原料調整炉
本装置は、半導体結晶育成用原材料の熱処理炉です。
結晶成長のための試料の高精度移動機構を備えています。
さらに、石英管内の試料の温度分布の測定、リニアガイドによる試料の取り出しを可能にした生産性の高い調整炉です。
本装置は、半導体結晶育成用原材料の熱処理炉です。
結晶成長のための試料の高精度移動機構を備えています。
さらに、石英管内の試料の温度分布の測定、リニアガイドによる試料の取り出しを可能にした生産性の高い調整炉です。
| 使用温度 | 1,000℃ 最大1,200℃ カンタルヒーター |
|---|---|
| 炉内寸法 | φ155×1000ｍｍ |
| 均熱長 | 700mm |
| 炉芯管 | 石英 φ110×1100mm 石英 φ115×1100mm |
| 移動速度 | 低速運転 ±0.1～5mm/h 早送運転 ±40～333mm/h |
