量産型結晶育成炉
型式：THM-1200-2B
（結晶成長プロセス用）
量産型結晶育成炉
本装置は、半導体結晶育成用の熱処理炉です。
試料の高精度移動機構を備え、移動速度は極めて遅く10ｍｍ/day以下です。
さらに、試料の回転機構をも備えており、均一な結晶成長を図られる様に配慮された装置です。
本装置は、半導体結晶育成用の熱処理炉です。
試料の高精度移動機構を備え、移動速度は極めて遅く10ｍｍ/day以下です。
さらに、試料の回転機構をも備えており、均一な結晶成長を図られる様に配慮された装置です。
| 使用温度 | 1,000℃ 最大1,200℃ スーパーカンタルヒーター |
|---|---|
| 育成結晶サイズ | φ50～φ80×150mm |
| 移動・回転速度 | 低速運転：0.1～10mm/day
早送運転：8～200mm/day 回転速度：2～15rpm |
